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| Gerätetyp | Solid State Drive - intern |
| Kapazität | 1024 GB |
| NAND-Flash-Speichertyp | 3D triple-level cell (TLC) |
| Formfaktor | M.2 2280 |
| Schnittstelle | PCIe 4.0 x4 (NVMe) |
| Merkmale | NVM Express (NVMe) 1.4, 112-layer 3D BiCS FLASH, Host Memory Buffer (HMB) |
| Breite | 22 mm |
| Tiefe | 80 mm |
| Höhe | 2.23 mm |
| Gewicht | 6 g |
| Interner Datendurchsatz | 3500 MBps (lesen)/ 2900 MBps (Schreiben) |
| 4 KB Random Read | 500000 IOPS |
| 4 KB Random Write | 450000 IOPS |
| MTBF | 1,500,000 Stunden |
| Schnittstellen | 1 x PCI Express 4.0 x4 (NVMe) - M.2 Key M |
| Kompatibles Schaltfeld | M.2 2280 |
| Energieverbrauch | 4.3 Watt (aktiv) ¦ 3 mW (L1.2-Modus) |
| Service und Support | Begrenzte Garantie - 3 Jahre |
| Min Betriebstemperatur | 0 °C |
| Max. Betriebstemperatur | 85 °C |
| Zulässige Luftfeuchtigkeit im Betrieb | 0 - 90% RH |
| Schocktoleranz (in Betrieb) | 1500 g @ 0,5 ms |
| Schocktoleranz (nicht in Betrieb) | 1500 g @ 0,5 ms |
| Vibrationstoleranz (in Betrieb) | 20 g @ 20-2000 Hz |
| Vibrationstoleranz (nicht in Betrieb) | 20 g @ 20-2000 Hz |